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barksdale傳感器XTM-020-G1-S1-1參數介紹的詳細資料

barksdale傳感器XTM-020-G1-S1-1參數介紹

barksdale傳感器的中的電阻應變片具有金屬的應變效應，即在外力作用下產生機械形變，從而使電阻值隨之發生相應的變化。電阻應變片主要有金屬和半導體兩類，金屬應變片有金屬絲式、箔式、薄膜式之分。半導體應變片具有靈敏度高（通常是絲式、箔式的幾十倍）、橫向效應小等優點。壓阻式傳感器是根據半導體材料的壓阻效應在半導體材料的基片上經擴散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件，擴散電阻在基片內接成電橋形式。當基片受到外力作用而產生形變時，各電阻值將發生變化，電橋就會產生相應的不平衡輸出。用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視，尤其是以測量壓力和速度的固態壓阻式傳感器應用普遍。

barksdale傳感器的主要分類
按用途
壓力敏和力敏傳感器、位置傳感器、液位傳感器、能耗傳感器、速度傳感器、加速度傳感器、射線輻射傳感器、熱敏傳感器。
按原理
振動傳感器、濕敏傳感器、磁敏傳感器、氣敏傳感器、真空度傳感器、生物傳感器等。
按輸出信號
模擬傳感器：將被測量的非電學量轉換成模擬電信號。
數字傳感器：將被測量的非電學量轉換成數字輸出信號（包括直接和間接轉換）。
膺數字傳感器：將被測量的信號量轉換成頻率信號或短周期信號的輸出（包括直接或間接轉換）。
開關傳感器：當一個被測量的信號達到某個特定的閾值時，傳感器相應地輸出一個設定的低電平或高電平信號。
按其制造工藝
集成傳感器是用標準的生產硅基半導體集成電路的工藝技術制造的。
通常還將用于初步處理被測信號的部分電路也集成在同一芯片上。
薄膜傳感器則是通過沉積在介質襯底（基板）上的，相應敏感材料的薄膜形成的。使用混合工藝時，同樣可將部分電路制造在此基板上。
厚膜傳感器是利用相應材料的漿料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后進行熱處理，使厚膜成形。

barksdale傳感器XTM-020-G1-S1-1參數介紹

barksdale傳感器的產品型號：

RIT-0121/DPDIT-GM3SSAdj/-0.02-0.2BAR
CP58-040 Pn:400bar pm:600bar
Type：XT-R12  Part No.0221-357 1000
UNS1 000-MS/T1/2-M12X1
XT-K-200-G1
0332-722 DN25/PN1E1100mm
CU58-002+ct08-350+QT
TS2000/0=100C/420-21  0-100°C/4-20mA
DIT-0312/DIT-GH18SS-1/-1.0-1.25BAR
UDS7  CP58-040
BFS-200-G1-BS-NO-ST（1-4L/MIN）
D2T－M150SS 產品號：0401－388 0．5～10．3bar
UTA2V2/0+100C/420/G1/4E Part No.CT08-250A
SW2000/400b/420-1/G1/4E/
0303-031 GK0 1m pvc-Kabel/Cable AC：220v
UDS7-2154225 DC24V 含插頭（CP28-001）
UAS3V3 18-33V/DC
403N1-06CG-10-P 測量壓力：0~200Psi 輸出：DC1~11V
D1T-M80SS-ExI 量程:+0.28~+5.5
UTA2   CT08-100
SW2000CP38-020
AMC-1A
BNA-S22-DN20-1200/1-VA30/02-MA-AR-4GK03-XT 帶配對法蘭
BNA-S22-DN20-950-VA30/02-1GK03-XT
B2T-M48SS  量程1.655-33.103bar 輸出:雙值可調 精度:0.25%FS

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